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Silizium Phototransistoren

LEDs und Detektoren
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Silizium Phototransistoren

Der Silizium Phototransistor ist für Anwendungen entwickelt, die eine mittlere Verstärkung und einen weiten Betrachtungswinkel erfordern.

Features

  • Quadratische, aktive Fläche
  • Empfindlichkeitsbereich 400 nm – 1.000 nm
  • Mittlere Verstärkung, typisch 500 Hfe
  • Hohe Verlässlichkeit
  • Hermetisches Gehäuse (TO-45 Metall)

Anwendungen

  • Sensorik
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IMM Photonics Selma Nezirević Ramić

Selma Nezirević Ramić

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